MD120HFR120C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - MD120HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).