MD200HFR120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48265.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MD200HFR120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 299A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції MD200HFR120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MD200HFR120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 822A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 200A On-state resistance: 10mΩ кількість в упаковці: 6 шт |
товару немає в наявності |
||
| MD200HFR120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 822A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 200A On-state resistance: 10mΩ |
товару немає в наявності |