MD300HFR120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
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| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 58475.38 грн |
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Технічний опис MD300HFR120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції MD300HFR120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MD300HFR120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; C2 62mm; Idm: 1.096kA Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.096kA Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 300A On-state resistance: 7.5mΩ кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
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| MD300HFR120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; C2 62mm; Idm: 1.096kA Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.096kA Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 300A On-state resistance: 7.5mΩ |
товару немає в наявності |