Продукція > NEXTGEN COMPONENTS > MDD2301
MDD2301

MDD2301 NextGen Components

MDD2301000S0S1.pdf Виробник: NextGen Components
Description: MOSFET P-CH -20V -3.0A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MDD2301 NextGen Components

Description: MOSFET P-CH -20V -3.0A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V.

Інші пропозиції MDD2301

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MDD2301 Виробник : Microdiode MDD2301000S0S1.pdf SI2301 MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
на замовлення 8860 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD2301
Код товару: 209062
Додати до обраних Обраний товар

MDD2301000S0S1.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.