Продукція > IXYS > MDD255-12N1
MDD255-12N1

MDD255-12N1 IXYS


MDD255-xxN1-DTE.pdf MDD255-xxN1-DTE.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 270A; Y1-CU; Ufmax: 1.4V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 270A
Max. load current: 450A
Max. forward impulse current: 8.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Case: Y1-CU
на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11792.82 грн
3+9907.57 грн
6+9684.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MDD255-12N1 IXYS

Description: DIODE MODULE GP 1200V 270A Y1-CU, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 600 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Y1-CU, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 270A, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Y1-CU, Packaging: Box.

Інші пропозиції MDD255-12N1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MDD255-12N1 mdd255.pdf Диодный модуль Itav=2*270А, 1200В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD255-12N1 MDD255-12N1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8F2E4C04-244A-4482-B217-CEFD0C2B8D03&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD255-12N1-Datasheet Description: DIODE MODULE GP 1200V 270A Y1-CU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 600 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Y1-CU
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 270A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y1-CU
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD255-12N1 MDD255-12N1 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_MDD255_12N1_Datasheet.pdf Diode Modules 255 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD255-12N1 mdd255.pdf
Диодный модуль Itav=2*270А, 1200В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD255-12N1 media?resourcetype=datasheets&itemid=8F2E4C04-244A-4482-B217-CEFD0C2B8D03&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD255-12N1-Datasheet
MDD255-12N1
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 1200V 270A Y1-CU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 600 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Y1-CU
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 270A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y1-CU
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD255-12N1 Littelfuse_Power_Semiconductors_MDD255_12N1_Datasheet.pdf
MDD255-12N1
Виробник: IXYS
Diode Modules 255 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.