Продукція > IXYS > MDD312-18N1
MDD312-18N1

MDD312-18N1 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=0ACDE308-88D3-49A9-8989-1A524615D7B5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD312-18N1-Datasheet Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 1800V 310A Y1-CU
Packaging: Box
Package / Case: Y1-CU
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 310A
Supplier Device Package: Y1-CU
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1800 V
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12352.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MDD312-18N1 IXYS

Description: DIODE MODULE GP 1800V 310A Y1-CU, Packaging: Box, Package / Case: Y1-CU, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 310A, Supplier Device Package: Y1-CU, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 600 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1800 V.

Інші пропозиції MDD312-18N1 за ціною від 13003.46 грн до 13286.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MDD312-18N1 MDD312-18N1 Виробник : IXYS media-3319365.pdf Discrete Semiconductor Modules 312 Amps 1800V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13286.52 грн
12+13003.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.