Технічний опис MDD600-14N1 IXYS
Description: DIODE MODULE GEN PURP 1400V 883A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 18 µs, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 883A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1800 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 1400 V.
Інші пропозиції MDD600-14N1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MDD600-14N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE GEN PURP 1400V 883A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 18 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 883A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 1400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
MDD600-14N1 | IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| MDD600-14N1 |
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GEN PURP 1400V 883A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 883A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 1400 V
Description: DIODE MODULE GEN PURP 1400V 883A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 883A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MDD600-14N1 |
|
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules
Discrete Semiconductor Modules
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.