Продукція > IXYS > MDMA450UB1600PTED

MDMA450UB1600PTED IXYS


Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 175A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MDMA450UB1600PTED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 175A, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 450A, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MDMA450UB1600PTED

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MDMA450UB1600PTED Виробник : IXYS Description: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2
товар відсутній
MDMA450UB1600PTED MDMA450UB1600PTED Виробник : IXYS MDMA450UB1600PTED-1623198.pdf Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE
товар відсутній
MDMA450UB1600PTED Виробник : IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 175A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
товар відсутній