MDNA210UB2200PTED IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E2-Pack
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 28 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E2-Pack
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 28 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MDNA210UB2200PTED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Max. off-state voltage: 1.7kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Case: E2-Pack, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 200A, кількість в упаковці: 28 шт.
Інші пропозиції MDNA210UB2200PTED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MDNA210UB2200PTED | Виробник : IXYS | Description: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2 |
товару немає в наявності |
||
 |
MDNA210UB2200PTED | Виробник : IXYS |
 Diode Modules BipolarModule-Rectifier+Brake E2-Pk-PFP |
товару немає в наявності |
|
| MDNA210UB2200PTED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: E2-Pack Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A |
товару немає в наявності |