MDNA360UB2200PTED IXYS
Виробник: IXYSDescription: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2
Packaging: Tray
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: E2
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Current - Average Rectified (Io): 360 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 360 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14775.29 грн |
| 10+ | 13326.44 грн |
| 28+ | 12825.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MDNA360UB2200PTED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Max. off-state voltage: 1.7kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Case: E2-Pack, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 135A, Pulsed collector current: 280A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MDNA360UB2200PTED за ціною від 15046.04 грн до 16031.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| MDNA360UB2200PTED | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Standard Rectifier Module |
товару немає в наявності |
||||||||
| MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: E2-Pack Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 135A Pulsed collector current: 280A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: E2-Pack Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 135A Pulsed collector current: 280A |
товару немає в наявності |