MDNA360UB2200PTED IXYS
Виробник: IXYS
Description: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 360 A
Current - Average Rectified (Io): 360 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Supplier Device Package: E2
Technology: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Three Phase (Braking)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E2
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14029.11 грн |
| 10+ | 12653.42 грн |
| 28+ | 12177.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MDNA360UB2200PTED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 280A, Max. off-state voltage: 1.7kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: E2-Pack, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 135A, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Type of semiconductor module: IGBT.
Інші пропозиції MDNA360UB2200PTED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MDNA360UB2200PTED | IXYS |
Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MDNA360UB2200PTED |
|
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE
Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)