MG1006-83B Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
Packaging: Bag
Diode Type: PIN - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Part Status: Active
Current - Max: 700 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
Packaging: Bag
Diode Type: PIN - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Part Status: Active
Current - Max: 700 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MG1006-83B Microchip Technology
Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD, Packaging: Bag, Diode Type: PIN - Single, Voltage - Peak Reverse (Max): 10V, Part Status: Active, Current - Max: 700 mA, Power Dissipation (Max): 100 mW.
Інші пропозиції MG1006-83B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MG1006-83B | Виробник : Microchip Technology |
 PIN Diodes GaAs Gunn Epi Down Hermetic Stud |
товару немає в наявності |