MG1006-83B Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Diode Type: PIN - Single
Packaging: Bag
Power Dissipation (Max): 100 mW
Current - Max: 700 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MG1006-83B Microchip Technology
Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 10V, Diode Type: PIN - Single, Packaging: Bag, Power Dissipation (Max): 100 mW, Current - Max: 700 mA.
Інші пропозиції MG1006-83B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MG1006-83B | Microchip Technology |
 PIN Diodes GaAs Gunn Epi Down Hermetic Stud |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MG1006-83B |
|
Виробник: Microchip Technology
PIN Diodes GaAs Gunn Epi Down Hermetic Stud
PIN Diodes GaAs Gunn Epi Down Hermetic Stud
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.