MG10P12E1

MG10P12E1 Yangjie Technology


Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Modules E1
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 92 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.35 nF @ 25 V
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+2836 грн
30+ 2579.23 грн
60+ 2427.53 грн
120+ 2135.71 грн
240+ 1922.16 грн
600+ 1779.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG10P12E1 Yangjie Technology

Description: Transistors - IGBTs - Modules E1, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A, NTC Thermistor: Yes, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 92 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.35 nF @ 25 V.