Продукція > LITTELFUSE > MG12100S-BN2MM
MG12100S-BN2MM

MG12100S-BN2MM Littelfuse


Littelfuse_Power_Semiconductor_IGBT_Module_MG12100-336003.pdf Виробник: Littelfuse
IGBT Modules 1200V 100A Dual
на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG12100S-BN2MM Littelfuse

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A, Case: package S, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 200A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MG12100S-BN2MM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MG12100S-BN2MM MG12100S-BN2MM Виробник : Littelfuse 4084511497578112840845100065649960littelfuse_power_semiductor_igbt_module_mg12100s_bn2mm_datasheet.pdf.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 450000mW 7-Pin Bulk
товар відсутній
MG12100S-BN2MM Виробник : IXYS littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12100s_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: package S
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MG12100S-BN2MM MG12100S-BN2MM Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12100s_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 140A 450W S3
товар відсутній
MG12100S-BN2MM Виробник : IXYS littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12100s_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: package S
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товар відсутній