Продукція > LITTELFUSE > MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM

MG12150D-BA1MM Littelfuse


621617458806209621606501758046littelfuse_power_semiductor_igbt_module_mg12150d_ba1mm_datasheet.pdf.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH 1200V 210A 1100000mW 7-Pin Package D Bulk
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG12150D-BA1MM Littelfuse

Description: IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 150A (Typ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: D3, Current - Collector (Ic) (Max): 210 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MG12150D-BA1MM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MG12150D-BA1MM MG12150D-BA1MM Виробник : Littelfuse Inc. Description: IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 150A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D3
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12150D-BA1MM MG12150D-BA1MM Виробник : Littelfuse Littelfuse_Power_Semiconductor_IGBT_Module_MG12150-335988.pdf IGBT Modules 1200V 150A Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.