
MG12150S-BN2MM Littelfuse Inc.
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MG12150S-BN2MM Littelfuse Inc.
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 300A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Case: Y4-M5, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MG12150S-BN2MM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MG12150S-BN2MM | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
MG12150S-BN2MM | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
MG12150S-BN2MM | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: Y4-M5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
MG12150S-BN2MM | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: Y4-M5 |
товару немає в наявності |