MG12150S-BN2MM

MG12150S-BN2MM Littelfuse Inc.


littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12150s_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3
на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG12150S-BN2MM Littelfuse Inc.

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 300A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Case: Y4-M5, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MG12150S-BN2MM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MG12150S-BN2MM MG12150S-BN2MM Виробник : Littelfuse Littelfuse_Power_Semiconductor_IGBT_Module_MG12150-335983.pdf IGBT Modules 1200V 150A Dual
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MG12150S-BN2MM MG12150S-BN2MM Виробник : Littelfuse 4084513590571283240845123837915736littelfuse_power_semiductor_igbt_module_mg12150s_bn2mm_datasheet.pdf.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 7-Pin Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12150S-BN2MM Виробник : IXYS littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12150s_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: Y4-M5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG12150S-BN2MM Виробник : IXYS littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12150s_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: Y4-M5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.