Технічний опис MG12150S-BN2MM Littelfuse
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 150A, Case: Y4-M5, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції MG12150S-BN2MM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MG12150S-BN2MM | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
MG12150S-BN2MM | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 7-Pin Bulk |
товару немає в наявності |
|
| MG12150S-BN2MM | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 150A Case: Y4-M5 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |