Технічний опис MG12150W-XN2MM Littelfuse Inc.
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 300A, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Type of semiconductor module: IGBT, Case: package W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MG12150W-XN2MM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MG12150W-XN2MM | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 35-Pin Bulk |
товару немає в наявності |
|
| MG12150W-XN2MM | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Case: package W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MG12150W-XN2MM | Виробник : Littelfuse |
IGBT Modules 1200V 150A IGBT |
товару немає в наявності |
|
| MG12150W-XN2MM | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Case: package W |
товару немає в наявності |