Технічний опис MG12150W-XN2MM Littelfuse Inc.
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Technology: Field Stop; Trench, Type of semiconductor module: IGBT, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Case: package W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 300A, Max. off-state voltage: 1.2kV.
Інші пропозиції MG12150W-XN2MM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MG12150W-XN2MM | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 35-Pin Bulk |
товару немає в наявності |
|
 |
MG12150W-XN2MM | Виробник : Littelfuse |
IGBT Modules 1200V 150A IGBT |
товару немає в наявності |
|
| MG12150W-XN2MM | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Technology: Field Stop; Trench Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: package W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |