Технічний опис MG1275S-BA1MM Littelfuse
Description: IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3, Packaging: Bulk, Package / Case: S-3 Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A (Typ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: S3, Current - Collector (Ic) (Max): 105 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 630 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MG1275S-BA1MM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MG1275S-BA1MM | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 630000mW 7-Pin Bulk |
товару немає в наявності |
|
 |
MG1275S-BA1MM | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3 Packaging: Bulk Package / Case: S-3 Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A (Typ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: S3 Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 630 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |