Технічний опис MG250YD2YMS3(DAE) Toshiba
MOSFET Modules HIGH-POWER SiC MOSFET Module; PD=2000W; ID=250A; VDSS=2200V.
Інші пропозиції MG250YD2YMS3(DAE)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MG250YD2YMS3(DAE) | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 2.2KV 250A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MG250YD2YMS3(DAE) |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 2.2KV 250A
Trans MOSFET N-CH SiC 2.2KV 250A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.