Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > MG50P12E1A
MG50P12E1A

MG50P12E1A Yangjie Technology


Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Modules E1
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 166 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+5397.81 грн
40+4909.15 грн
80+4620.44 грн
160+4065.10 грн
320+3658.58 грн
800+3387.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG50P12E1A Yangjie Technology

Description: Transistors - IGBTs - Modules E1, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 166 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MG50P12E1A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MG50P12E1A Yangzhou Yangjie Electronic IGBT MODULE 50A 1200V Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG50P12E1A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic
IGBT MODULE 50A 1200V Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.