Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > MG50P12E2
MG50P12E2

MG50P12E2 Yangjie Technology


Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Modules E2
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 227 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+6512.32 грн
30+5922.72 грн
60+5574.32 грн
120+4904.32 грн
240+4413.91 грн
600+4086.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG50P12E2 Yangjie Technology

Description: Transistors - IGBTs - Modules E2, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.6 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 227 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.