MGD3100BM38EK NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32BSSOP
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Single
Supplier Device Package: 32-SOIC
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 747.66 грн |
| 10+ | 562.04 грн |
| 42+ | 504.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGD3100BM38EK NXP USA Inc.
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32BSSOP, Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Packaging: Tube, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Number of Drivers: 1, Driven Configuration: Half-Bridge, Channel Type: Single, Supplier Device Package: 32-SOIC, Voltage - Supply: 3.3V, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції MGD3100BM38EK
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MGD3100BM38EK | NXP Semiconductors |
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MGD3100BM38EK |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)