MGD3100BM58EK NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32BSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 5V
Supplier Device Package: 32-SOIC
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 760.79 грн |
| 10+ | 571.92 грн |
| 42+ | 513.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGD3100BM58EK NXP USA Inc.
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32BSSOP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 5V, Supplier Device Package: 32-SOIC, Channel Type: Single, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 1, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MGD3100BM58EK за ціною від 412.72 грн до 866.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MGD3100BM58EK | Виробник : NXP Semiconductors |
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|