Продукція > NXP USA INC. > MGD3160AM315EKR2
MGD3160AM315EKR2

MGD3160AM315EKR2 NXP USA Inc.


GD3160.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 15A
Technology: IGBT
Voltage - Load: 4.5V ~ 40V
Supplier Device Package: 32-SOIC
Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit
Load Type: Inductive
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+394.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGD3160AM315EKR2 NXP USA Inc.

Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Interface: PWM, SPI, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Output Configuration: Half Bridge, Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V, Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS, Applications: General Purpose, Current - Output / Channel: 15A, Current - Peak Output: 15A, Technology: IGBT, Voltage - Load: 4.5V ~ 40V, Supplier Device Package: 32-SOIC, Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit, Load Type: Inductive.

Інші пропозиції MGD3160AM315EKR2 за ціною від 360.77 грн до 710.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MGD3160AM315EKR2 MGD3160AM315EKR2 NXP USA Inc. GD3160.pdf Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 15A
Technology: IGBT
Voltage - Load: 4.5V ~ 40V
Supplier Device Package: 32-SOIC
Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit
Load Type: Inductive
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.08 грн
10+491.55 грн
25+456.69 грн
100+392.65 грн
250+375.52 грн
500+365.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGD3160AM315EKR2 MGD3160AM315EKR2 NXP Semiconductors GD3160.pdf Gate Drivers EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+710.52 грн
10+545.90 грн
25+440.94 грн
100+403.67 грн
250+390.31 грн
1000+364.99 грн
2000+360.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGD3160AM315EKR2 GD3160.pdf
MGD3160AM315EKR2
Виробник: NXP USA Inc.
Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 15A
Technology: IGBT
Voltage - Load: 4.5V ~ 40V
Supplier Device Package: 32-SOIC
Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit
Load Type: Inductive
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.08 грн
10+491.55 грн
25+456.69 грн
100+392.65 грн
250+375.52 грн
500+365.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGD3160AM315EKR2 GD3160.pdf
MGD3160AM315EKR2
Виробник: NXP Semiconductors
Gate Drivers EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+710.52 грн
10+545.90 грн
25+440.94 грн
100+403.67 грн
250+390.31 грн
1000+364.99 грн
2000+360.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.