Продукція > NXP > MGD3160AM335EK
MGD3160AM335EK

MGD3160AM335EK NXP


PB_GD3160.pdf Виробник: NXP
Description: NXP - MGD3160AM335EK - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 32 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 15A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 15A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+755.13 грн
10+588.43 грн
25+527.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGD3160AM335EK NXP

Description: NXP - MGD3160AM335EK - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 32 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 15A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 15A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 40V, Eingabeverzögerung: -, Ausgabeverzögerung: -, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MGD3160AM335EK за ціною від 511.30 грн до 797.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MGD3160AM335EK MGD3160AM335EK Виробник : NXP Semiconductors PB_GD3160-2907655.pdf Gate Drivers EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.36 грн
10+710.67 грн
25+511.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGD3160AM335EK Виробник : NXP USA Inc. PB_GD3160.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 32SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Rds On (Typ): 500mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 15A
Technology: IGBT
Voltage - Load: 12V ~ 25V
Supplier Device Package: 32-SOIC
Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.43 грн
10+656.06 грн
42+625.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.