MGD3160AM335EKR2 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 15A
Technology: Power MOSFET, IGBT
Supplier Device Package: 32-SOIC
Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 680.66 грн |
| 10+ | 510.64 грн |
| 25+ | 474.44 грн |
| 100+ | 407.91 грн |
| 250+ | 390.12 грн |
| 500+ | 379.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGD3160AM335EKR2 NXP USA Inc.
Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Interface: PWM, SPI, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Output Configuration: Half Bridge, Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V, Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS, Applications: DC-DC Converters, Current - Output / Channel: 15A, Current - Peak Output: 15A, Technology: Power MOSFET, IGBT, Supplier Device Package: 32-SOIC, Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit, Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MGD3160AM335EKR2 за ціною від 360.55 грн до 736.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MGD3160AM335EKR2 | Виробник : NXP Semiconductors |
Gate Drivers EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MGD3160AM335EKR2 | Виробник : NXP Semiconductors |
Advanced Single-Channel Gate Driver |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MGD3160AM335EKR2 | Виробник : NXP Semiconductors |
GD3160 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
MGD3160AM335EKR2 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM, SPI Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS Applications: DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 15A Technology: Power MOSFET, IGBT Supplier Device Package: 32-SOIC Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |