Продукція > NXP USA INC. > MGD3160AM335EKR2
MGD3160AM335EKR2

MGD3160AM335EKR2 NXP USA Inc.


GD3160.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 15A
Technology: Power MOSFET, IGBT
Supplier Device Package: 32-SOIC
Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+632.92 грн
10+474.83 грн
25+441.16 грн
100+379.30 грн
250+362.75 грн
500+352.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGD3160AM335EKR2 NXP USA Inc.

Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Interface: PWM, SPI, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Output Configuration: Half Bridge, Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V, Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS, Applications: DC-DC Converters, Current - Output / Channel: 15A, Current - Peak Output: 15A, Technology: Power MOSFET, IGBT, Supplier Device Package: 32-SOIC, Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit, Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції MGD3160AM335EKR2 за ціною від 322.36 грн до 658.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MGD3160AM335EKR2 MGD3160AM335EKR2 Виробник : NXP Semiconductors GD3160.pdf Gate Drivers EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.75 грн
10+505.31 грн
25+409.28 грн
100+374.38 грн
250+358.64 грн
500+348.37 грн
1000+322.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGD3160AM335EKR2 MGD3160AM335EKR2 Виробник : NXP Semiconductors pgurl_137881150.pdf Advanced Single-Channel Gate Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGD3160AM335EKR2 MGD3160AM335EKR2 Виробник : NXP USA Inc. GD3160.pdf Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Rds On (Typ): 500mOhm LS, 500mOhm HS
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 15A
Technology: Power MOSFET, IGBT
Supplier Device Package: 32-SOIC
Fault Protection: Over Temperature, Short Circuit
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.