
MGD3160AM335EKT NXP USA Inc.

Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 32-SOIC
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, SiC MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 722.17 грн |
10+ | 541.75 грн |
25+ | 503.34 грн |
176+ | 420.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGD3160AM335EKT NXP USA Inc.
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC, Packaging: Tray, Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V, Input Type: Non-Inverting, Supplier Device Package: 32-SOIC, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: IGBT, SiC MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MGD3160AM335EKT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MGD3160AM335EKT | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |