Продукція > NXP USA INC. > MGD3160AM335EKT
MGD3160AM335EKT

MGD3160AM335EKT NXP USA Inc.


PB_GD3160.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 32-SOIC
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, SiC MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+722.17 грн
10+541.75 грн
25+503.34 грн
176+420.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGD3160AM335EKT NXP USA Inc.

Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC, Packaging: Tray, Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V, Input Type: Non-Inverting, Supplier Device Package: 32-SOIC, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: IGBT, SiC MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції MGD3160AM335EKT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MGD3160AM335EKT MGD3160AM335EKT Виробник : NXP Semiconductors PB_GD3160-2907655.pdf Gate Drivers GD3160
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.