MGD3160AM515EK NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MGD3160AM515EK - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 32 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 15A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 15A
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 669.80 грн |
| 10+ | 521.24 грн |
| 25+ | 484.32 грн |
| 50+ | 425.80 грн |
| 100+ | 370.97 грн |
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Технічний опис MGD3160AM515EK NXP
Description: NXP - MGD3160AM515EK - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 32 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 15A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 15A, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 40V, Eingabeverzögerung: -, Ausgabeverzögerung: -, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MGD3160AM515EK за ціною від 468.48 грн до 861.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
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MGD3160AM515EK | Виробник : NXP Semiconductors |
Gate Drivers EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC |
на замовлення 84 шт: термін постачання 804-813 дні (днів) |
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| MGD3160AM515EK | Виробник : NXP Semiconductors |
Advanced Single-Channel Gate Driver |
товару немає в наявності |
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| MGD3160AM515EK | Виробник : NXP USA Inc. | Description: EV INVERTER CONTROL; IGBT & SIC |
товару немає в наявності |
