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MGD3160AM515EK NXP



Виробник: NXP
Description: NXP - MGD3160AM515EK - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 32 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 15A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 15A
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 40V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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Технічний опис MGD3160AM515EK NXP

Description: NXP - MGD3160AM515EK - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 32 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 15A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 15A, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 40V, Eingabeverzögerung: -, Ausgabeverzögerung: -, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції MGD3160AM515EK

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MGD3160AM515EK MGD3160AM515EK NXP Semiconductors PB_GD3160-2907655.pdf Gate Drivers EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
на замовлення 84 шт:
термін постачання 804-813 дні (днів)
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MGD3160AM515EK PB_GD3160-2907655.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Gate Drivers EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC
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термін постачання 804-813 дні (днів)
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