MGD3162AM551EKT NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MGD3162AM551EKT
Packaging: Tray
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Technology: Magnetic Coupling
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 32-SOIC
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 25V
Qualification: AEC-Q100
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 753.98 грн |
| 10+ | 568.50 грн |
| 25+ | 529.16 грн |
| 176+ | 443.47 грн |
| 352+ | 430.60 грн |
| 528+ | 424.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGD3162AM551EKT NXP USA Inc.
Description: MGD3162AM551EKT, Packaging: Tray, Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Technology: Magnetic Coupling, Approval Agency: VDE, Supplier Device Package: 32-SOIC, Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns, Grade: Automotive, Number of Channels: 1, Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 25V, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MGD3162AM551EKT за ціною від 541.51 грн до 983.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MGD3162AM551EKT | NXP Semiconductors |
Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MGD3162AM551EKT |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 983.74 грн |
| 10+ | 787.72 грн |
| 25+ | 653.32 грн |
| 100+ | 566.82 грн |
| 176+ | 541.51 грн |