
MGSF1N02LT1 ON Semiconductor
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 138.52 грн |
118+ | 103.63 грн |
140+ | 87.77 грн |
500+ | 72.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGSF1N02LT1 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V.
Інші пропозиції MGSF1N02LT1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MGSF1N02LT1 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MGSF1N02LT1 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 732 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
MGSF1N02LT1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MGSF1N02LT1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MGSF1N02LT1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MGSF1N02LT1 | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |