MGSF1N02LT1G ON Semiconductor
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.61 грн |
| 6000+ | 8.38 грн |
| 9000+ | 8.30 грн |
| 24000+ | 7.92 грн |
| 30000+ | 7.26 грн |
| 75000+ | 6.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGSF1N02LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MGSF1N02LT1G за ціною від 7.39 грн до 55.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V |
на замовлення 20275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V |
на замовлення 20737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm |
на замовлення 91946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MGSF1N02LT1G | Виробник : ONSEMI |
MGSF1N02LT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1682 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |