Продукція > ONSEMI > MGSF1N02LT1G
MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT1G onsemi

mgsf1n02lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.11 грн
6000+6.45 грн
9000+6.19 грн
15000+5.73 грн
21000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF1N02LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.

Інші пропозиції MGSF1N02LT1G за ціною від 7.00 грн до 40.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.31 грн
6000+10.26 грн
9000+10.02 грн
12000+9.61 грн
27000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+25.11 грн
793+17.81 грн
801+17.63 грн
1036+13.15 грн
1729+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G onsemi mgsf1n02lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.50 грн
15+21.46 грн
100+13.66 грн
500+9.65 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.67 грн
27+28.17 грн
30+25.11 грн
100+17.17 грн
250+15.74 грн
500+11.68 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ON Semiconductor mgsf1n02lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.55 грн
518+27.28 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G onsemi MGSF1N02LT1-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
на замовлення 48777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ONSEMI 2255257.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ONSEMI 2255257.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.31 грн
6000+10.26 грн
9000+10.02 грн
12000+9.61 грн
27000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
563+25.11 грн
793+17.81 грн
801+17.63 грн
1036+13.15 грн
1729+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.50 грн
15+21.46 грн
100+13.66 грн
500+9.65 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.67 грн
27+28.17 грн
30+25.11 грн
100+17.17 грн
250+15.74 грн
500+11.68 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
349+40.55 грн
518+27.28 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1-D.PDF
MGSF1N02LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
на замовлення 48777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G 2255257.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G 2255257.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.