MGSF1N02LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.10 грн |
| 6000+ | 6.44 грн |
| 9000+ | 6.18 грн |
| 15000+ | 5.71 грн |
| 21000+ | 5.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGSF1N02LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MGSF1N02LT1G за ціною від 5.83 грн до 42.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V |
на замовлення 23311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MGSF1N02LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm |
на замовлення 48777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MGSF1N02LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|