Продукція > ONSEMI > MGSF1N02LT1G
MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT1G onsemi

mgsf1n02lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.05 грн
6000+6.39 грн
9000+6.13 грн
15000+5.67 грн
21000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF1N02LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.

Інші пропозиції MGSF1N02LT1G за ціною від 5.79 грн до 36.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ONSEMI 2255257.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.95 грн
500+11.72 грн
1500+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G onsemi mgsf1n02lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
15+21.27 грн
100+13.54 грн
500+9.56 грн
1000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G onsemi MGSF1N02LT1-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
на замовлення 48777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.38 грн
15+22.42 грн
100+12.33 грн
500+9.51 грн
1000+7.99 грн
3000+5.99 грн
6000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G ONSEMI 2255257.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.97 грн
50+21.78 грн
100+14.95 грн
500+11.72 грн
1500+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G 2255257.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+14.95 грн
500+11.72 грн
1500+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G mgsf1n02lt1-d.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.22 грн
15+21.27 грн
100+13.54 грн
500+9.56 грн
1000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1-D.PDF
MGSF1N02LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
на замовлення 48777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.38 грн
15+22.42 грн
100+12.33 грн
500+9.51 грн
1000+7.99 грн
3000+5.99 грн
6000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1G 2255257.pdf
MGSF1N02LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+36.97 грн
50+21.78 грн
100+14.95 грн
500+11.72 грн
1500+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.