MGSF1N02LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.12 грн |
| 6000+ | 6.46 грн |
| 9000+ | 6.20 грн |
| 15000+ | 5.73 грн |
| 21000+ | 5.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGSF1N02LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.
Інші пропозиції MGSF1N02LT1G за ціною від 6.24 грн до 42.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V |
на замовлення 23311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm |
на замовлення 48777 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MGSF1N02LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.70 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.70 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.82 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.85 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.68 грн |
| 6000+ | 10.63 грн |
| 9000+ | 10.38 грн |
| 12000+ | 9.95 грн |
| 27000+ | 9.09 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 563+ | 26.01 грн |
| 793+ | 18.45 грн |
| 801+ | 18.26 грн |
| 1036+ | 13.61 грн |
| 1729+ | 7.55 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
на замовлення 23311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.54 грн |
| 15+ | 21.49 грн |
| 100+ | 13.68 грн |
| 500+ | 9.66 грн |
| 1000+ | 8.63 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
MOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
на замовлення 48777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.74 грн |
| 13+ | 24.16 грн |
| 100+ | 13.29 грн |
| 500+ | 10.25 грн |
| 1000+ | 8.61 грн |
| 3000+ | 6.46 грн |
| 6000+ | 6.24 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 39.01 грн |
| 27+ | 29.17 грн |
| 30+ | 26.01 грн |
| 100+ | 17.79 грн |
| 250+ | 16.30 грн |
| 500+ | 12.10 грн |
| 1000+ | 7.25 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 349+ | 42.00 грн |
| 518+ | 28.26 грн |
| 1000+ | 19.78 грн |
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





