Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MGSF1N02LT1G
MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT1G ON Semiconductor

mgsf1n02lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF1N02LT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V.

Інші пропозиції MGSF1N02LT1G за ціною від 9.17 грн до 34.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Виробник : ONSEMI MGSF1N02L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Виробник : ONSEMI MGSF1N02L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.65 грн
25+ 17.85 грн
80+ 11.82 грн
220+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Виробник : onsemi mgsf1n02lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.49 грн
11+ 25.88 грн
100+ 15.53 грн
500+ 13.49 грн
1000+ 9.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Виробник : onsemi MGSF1N02LT1_D-2315967.pdf MOSFET NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
на замовлення 110954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MGSF1N02LT1G MGSF1N02LT1G Виробник : onsemi mgsf1n02lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
товар відсутній