Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G ON Semiconductor

mgsf1n03lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF1N03LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MGSF1N03LT1G за ціною від 6.83 грн до 43.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.71 грн
6000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.40 грн
6000+10.29 грн
9000+8.22 грн
15000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.23 грн
6000+11.11 грн
9000+8.88 грн
15000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.48 грн
6000+14.13 грн
9000+13.79 грн
12000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.84 грн
500+14.30 грн
1500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+39.87 грн
23+26.58 грн
25+26.32 грн
100+17.43 грн
250+15.98 грн
500+12.14 грн
1000+11.03 грн
3000+10.02 грн
6000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.84 грн
50+29.47 грн
100+19.84 грн
500+14.30 грн
1500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi MGSF1N03LT1_D-2315817.pdf MOSFETs 30V 2.1A N-Channel
на замовлення 91870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.21 грн
12+28.27 грн
100+16.66 грн
500+13.14 грн
1000+11.96 грн
3000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 18704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
12+27.06 грн
100+17.62 грн
500+13.43 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.47 грн
12000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.20 грн
6000+11.08 грн
9000+8.85 грн
15000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.07 грн
6000+11.95 грн
9000+9.55 грн
15000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
626+19.47 грн
632+19.27 грн
798+15.26 грн
1000+13.36 грн
3000+11.24 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ROHS SOT-23
на замовлення 90003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ SOP-8
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : ONSEMI mgsf1n03lt1-d.pdf MGSF1N03LT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.