 
MGSF1N03LT1G ON Semiconductor
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 4.34 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGSF1N03LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції MGSF1N03LT1G за ціною від 4.93 грн до 46.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V | на замовлення 24000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 282000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; 690mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.69W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6nC | на замовлення 2920 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; 690mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.69W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6nC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2920 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8308 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V | на замовлення 24045 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : onsemi |  MOSFETs 30V 2.1A N-Channel | на замовлення 91870 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8308 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MGSF1N03LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : Aptina Imaging |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : Aptina Imaging |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 282000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : Aptina Imaging |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : Aptina Imaging |  Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : ON |  05+06+ | на замовлення 6000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : ON |  10+ROHS SOT-23 | на замовлення 90003 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : ON |  10+ SOP-8 | на замовлення 4200 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) |