Продукція > ONSEMI > MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G onsemi

mgsf1n03lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.62 грн
6000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF1N03LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 730mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції MGSF1N03LT1G за ціною від 7.96 грн до 54.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
6000+12.91 грн
9000+10.31 грн
15000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.08 грн
6000+13.94 грн
9000+11.13 грн
15000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.87 грн
6000+16.45 грн
9000+16.06 грн
12000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.01 грн
23+33.34 грн
25+33.01 грн
100+21.86 грн
250+20.04 грн
500+15.23 грн
1000+13.83 грн
3000+12.56 грн
6000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.52 грн
10+32.68 грн
50+23.90 грн
100+19.76 грн
500+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G onsemi MGSF1N03LT1_D-2315817.pdf MOSFETs 30V 2.1A N-Channel
на замовлення 91870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.70 грн
12000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
6000+12.91 грн
9000+10.31 грн
15000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.06 грн
6000+13.92 грн
9000+11.12 грн
15000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+22.67 грн
632+22.44 грн
798+17.77 грн
1000+15.56 грн
3000+13.09 грн
6000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
MGSF1N03LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.04 грн
6000+12.91 грн
9000+10.31 грн
15000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
MGSF1N03LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.08 грн
6000+13.94 грн
9000+11.13 грн
15000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
MGSF1N03LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.87 грн
6000+16.45 грн
9000+16.06 грн
12000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
MGSF1N03LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+50.01 грн
23+33.34 грн
25+33.01 грн
100+21.86 грн
250+20.04 грн
500+15.23 грн
1000+13.83 грн
3000+12.56 грн
6000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
MGSF1N03LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.52 грн
10+32.68 грн
50+23.90 грн
100+19.76 грн
500+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1_D-2315817.pdf
MGSF1N03LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 2.1A N-Channel
на замовлення 91870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G 2353887.pdf
MGSF1N03LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G 2353887.pdf
MGSF1N03LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.70 грн
12000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.04 грн
6000+12.91 грн
9000+10.31 грн
15000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.06 грн
6000+13.92 грн
9000+11.12 грн
15000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
626+22.67 грн
632+22.44 грн
798+17.77 грн
1000+15.56 грн
3000+13.09 грн
6000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.