MGSF1N03LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.34 грн |
| 6000+ | 10.00 грн |
| 9000+ | 9.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGSF1N03LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MGSF1N03LT1G за ціною від 7.92 грн до 49.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MGSF1N03LT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V |
на замовлення 11863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MGSF1N03LT1G | onsemi |
MOSFETs 30V 2.1A N-Channel |
на замовлення 91870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MGSF1N03LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MGSF1N03LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | ON |
10+ROHS SOT-23 |
на замовлення 90003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.98 грн |
| 6000+ | 12.85 грн |
| 9000+ | 10.26 грн |
| 15000+ | 9.81 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.02 грн |
| 6000+ | 13.88 грн |
| 9000+ | 11.08 грн |
| 15000+ | 10.59 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.79 грн |
| 6000+ | 16.38 грн |
| 9000+ | 15.99 грн |
| 12000+ | 15.19 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.49 грн |
| 11+ | 28.92 грн |
| 100+ | 18.63 грн |
| 500+ | 13.31 грн |
| 1000+ | 11.96 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.79 грн |
| 23+ | 33.19 грн |
| 25+ | 32.86 грн |
| 100+ | 21.76 грн |
| 250+ | 19.95 грн |
| 500+ | 15.16 грн |
| 1000+ | 13.77 грн |
| 3000+ | 12.51 грн |
| 6000+ | 11.24 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 2.1A N-Channel
MOSFETs 30V 2.1A N-Channel
на замовлення 91870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.66 грн |
| 12000+ | 7.92 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.98 грн |
| 6000+ | 12.85 грн |
| 9000+ | 10.26 грн |
| 15000+ | 9.81 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.00 грн |
| 6000+ | 13.86 грн |
| 9000+ | 11.07 грн |
| 15000+ | 10.58 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 626+ | 22.57 грн |
| 632+ | 22.34 грн |
| 798+ | 17.69 грн |
| 1000+ | 15.49 грн |
| 3000+ | 13.03 грн |
| 6000+ | 11.24 грн |
| MGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: ON
10+ROHS SOT-23
10+ROHS SOT-23
на замовлення 90003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





