Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G ON Semiconductor

mgsf1n03lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF1N03LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MGSF1N03LT1G за ціною від 6.85 грн до 42.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.42 грн
6000+10.32 грн
9000+8.24 грн
15000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.25 грн
6000+11.14 грн
9000+8.90 грн
15000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.77 грн
6000+10.40 грн
9000+9.87 грн
15000+8.79 грн
21000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.52 грн
6000+14.16 грн
9000+13.83 грн
12000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.12 грн
500+14.50 грн
1500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 24045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.83 грн
12+27.36 грн
100+19.98 грн
500+14.27 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+39.97 грн
23+26.65 грн
25+26.38 грн
100+17.47 грн
250+16.02 грн
500+12.17 грн
1000+11.06 грн
3000+10.04 грн
6000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.40 грн
50+29.88 грн
100+20.12 грн
500+14.50 грн
1500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi MGSF1N03LT1_D-2315817.pdf MOSFETs 30V 2.1A N-Channel
на замовлення 91870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.80 грн
12+28.67 грн
100+16.89 грн
500+13.32 грн
1000+12.13 грн
3000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.49 грн
12000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.22 грн
6000+11.11 грн
9000+8.87 грн
15000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.10 грн
6000+11.98 грн
9000+9.57 грн
15000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
626+19.51 грн
632+19.32 грн
798+15.29 грн
1000+13.40 грн
3000+11.26 грн
6000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ROHS SOT-23
на замовлення 90003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ SOP-8
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1G Виробник : ONSEMI mgsf1n03lt1-d.pdf MGSF1N03LT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.