MGSF1N03LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.35 грн |
| 6000+ | 10.01 грн |
| 9000+ | 9.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MGSF1N03LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MGSF1N03LT1G за ціною від 7.83 грн до 56.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MGSF1N03LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N03LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N03LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N03LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MGSF1N03LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V 2.1A N-Channel |
на замовлення 91870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N03LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V |
на замовлення 11863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N03LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MGSF1N03LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT1G | Виробник : ON |
10+ROHS SOT-23 |
на замовлення 90003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |