Продукція > ONSEMI > MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELT1G onsemi

mgsf2n02el-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.19 грн
6000+8.06 грн
9000+7.67 грн
15000+6.77 грн
21000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF2N02ELT1G onsemi

Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Інші пропозиції MGSF2N02ELT1G за ціною від 7.18 грн до 40.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G onsemi mgsf2n02el-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm
на замовлення 10469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
14+22.86 грн
100+12.63 грн
500+9.53 грн
1000+8.56 грн
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G ONSEMI 2353886.pdf Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G onsemi mgsf2n02el-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+24.08 грн
100+15.37 грн
500+10.89 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G ONSEMI 2353886.pdf Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1G mgsf2n02el-d.pdf
MGSF2N02ELT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm
на замовлення 10469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.37 грн
14+22.86 грн
100+12.63 грн
500+9.53 грн
1000+8.56 грн
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1G 2353886.pdf
MGSF2N02ELT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1G mgsf2n02el-d.pdf
MGSF2N02ELT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.38 грн
13+24.08 грн
100+15.37 грн
500+10.89 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1G 2353886.pdf
MGSF2N02ELT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.