Продукція > LAIRD > MGV252010R68M-10
MGV252010R68M-10

MGV252010R68M-10 LAIRD


LATE-S-A0003932456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LAIRD
Description: LAIRD - MGV252010R68M-10 - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 3.4 A, Geschirmt, 4.3 A, MGV2520, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.044ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 4.3A
RMS-Strom Irms: 3.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2mm
на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.50 грн
500+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGV252010R68M-10 LAIRD

Description: LAIRD - MGV252010R68M-10 - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 3.4 A, Geschirmt, 4.3 A, MGV2520, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 680nH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.044ohm, usEccn: EAR99, RMS-Strom Irms: 3.4A, Sättigungsstrom (Isat): 4.3A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: MGV2520, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції MGV252010R68M-10 за ціною від 8.95 грн до 25.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MGV252010R68M-10 MGV252010R68M-10 Виробник : Laird-Signal Integrity Products mgv252010r68m-10-datasheet Description: FIXED IND 680NH 3.4A 44MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 44mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Inductance: 680 nH
Current Rating (Amps): 3.4 A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.50 грн
6000+9.36 грн
9000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MGV252010R68M-10 MGV252010R68M-10 Виробник : Laird-Signal Integrity Products mgv252010r68m-10-datasheet Description: FIXED IND 680NH 3.4A 44MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 44mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Inductance: 680 nH
Current Rating (Amps): 3.4 A
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
17+18.93 грн
25+17.14 грн
50+14.92 грн
100+13.82 грн
250+12.49 грн
500+11.39 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MGV252010R68M-10 MGV252010R68M-10 Виробник : LAIRD LATE-S-A0003932456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LAIRD - MGV252010R68M-10 - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 3.4 A, Geschirmt, 4.3 A, MGV2520, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.044ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 3.4A
Sättigungsstrom (Isat): 4.3A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MGV2520
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGV252010R68M-10 MGV252010R68M-10 Виробник : Laird Performance Materials mgv252010r68m_10_datasheet-2947094.pdf Power Inductors - SMD .68 UH 20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.