MHT1004NR3 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MHT1004NR3 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15033.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MHT1004NR3 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-2, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.45GHz, Power - Output: 280W, Gain: 15.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-2, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MHT1004NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MHT1004NR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF POWER LDMOS TRANSISTORS |
товару немає в наявності |
|
 |
MHT1004NR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-2 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.45GHz Power - Output: 280W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|
| MHT1004NR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V |
товару немає в наявності |