MHT1006NT1 NXP
Виробник: NXP
Description: NXP - MHT1006NT1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MHT1006NT1 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W, Current - Test: 90 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PLD-1.5W, Technology: LDMOS, Gain: 21.7dB, Power - Output: 1.26W, Frequency: 2.17GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PLD-1.5W, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MHT1006NT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MHT1006NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Current - Test: 90 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PLD-1.5W Technology: LDMOS Gain: 21.7dB Power - Output: 1.26W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MHT1006NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 90 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PLD-1.5W Technology: LDMOS Gain: 21.7dB Power - Output: 1.26W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PLD-1.5W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MHT1006NT1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MHT1006NT1 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| MHT1006NT1 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MHT1006NT1 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MHT1006NT1 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MHT1006NT1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistor
RF Power LDMOS Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.