MHT1006NT1 NXP USA Inc.



Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MHT1006NT1 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W, Current - Test: 90 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PLD-1.5W, Technology: LDMOS, Gain: 21.7dB, Power - Output: 1.26W, Frequency: 2.17GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PLD-1.5W, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MHT1006NT1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MHT1006NT1 MHT1006NT1 NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MHT1006NT1 NXP Semiconductors MHT1006N-1127076.pdf RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MHT1006NT1
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MHT1006NT1 MHT1006N-1127076.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.