MHT1008NT1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS PLD-1.5W
Packaging: Bulk
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Power - Output: 12.5W
Gain: 18.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 28 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 900.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MHT1008NT1 NXP USA Inc.
Description: NXP - MHT1008NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 48.1 W, 2.4 GHz, 2.5 GHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48.1W, Betriebsfrequenz, max.: 2.5GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.4GHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48.1W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Bauform - HF-Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції MHT1008NT1 за ціною від 900.70 грн до 900.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MHT1008NT1 | Виробник : Freescale Semiconductor |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Bulk Package / Case: PLD-1.5W Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.45GHz Configuration: N-Channel Power - Output: 12.5W Gain: 20.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 110 mA |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
MHT1008NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MHT1008NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MHT1008NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MHT1008NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 48.1 W, 2.4 GHz, 2.5 GHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48.1W Betriebsfrequenz, max.: 2.5GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.4GHz euEccn: NLR Verlustleistung: 48.1W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Bauform - HF-Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MHT1008NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MHT1008NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 48.1 W, 2.4 GHz, 2.5 GHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 48.1W Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - Transistor: PLD-1.5W usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MHT1008NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz Power - Output: 12.5W Gain: 18.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 28 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MHT1008NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz Power - Output: 12.5W Gain: 18.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 28 V |
товару немає в наявності |
|||||
| MHT1008NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V |
товару немає в наявності |