Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MID550-12A4 IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 670A 2750W Y3DCB, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 21 mA, Power - Max: 2750 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 670 A, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: Y3-DCB, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Y3-DCB, Packaging: Box.
Інші пропозиції MID550-12A4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MID550-12A4 |
 IGBT-модуль Силові IGBT-модулі |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| MID550-12A4 | IXYS/Littelfuse |
Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 2 750, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 670, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = на шасі, td(on)+tf,нс = 100, td(off)+tf,нс = 650,... Транзистори Корпус: Y3-DCB Од. вим: шт кількість в упаковці: 6 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MID550-12A4 | IXYS |
Description: IGBT MOD 1200V 670A 2750W Y3DCB Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 21 mA Power - Max: 2750 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 670 A IGBT Type: NPT Supplier Device Package: Y3-DCB NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Y3-DCB Packaging: Box |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MID550-12A4 | IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; NPT Case: Y3-DCB Semiconductor structure: diode/transistor Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Technology: NPT Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 460A Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.75kW Topology: boost chopper Application: motors Electrical mounting: FASTON connectors; screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MID550-12A4 |
|
Виробник: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 2 750, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 670, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = на шасі, td(on)+tf,нс = 100, td(off)+tf,нс = 650,... Транзистори Корпус: Y3-DCB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 6 шт
Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 2 750, Uce(on), В = 2,8, Uceb, В = 1 200, Ic, А = 670, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = на шасі, td(on)+tf,нс = 100, td(off)+tf,нс = 650,... Транзистори Корпус: Y3-DCB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 6 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MID550-12A4 |
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 670A 2750W Y3DCB
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 21 mA
Power - Max: 2750 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 670 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: Y3-DCB
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y3-DCB
Packaging: Box
Description: IGBT MOD 1200V 670A 2750W Y3DCB
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 21 mA
Power - Max: 2750 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 670 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: Y3-DCB
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y3-DCB
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MID550-12A4 |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; NPT
Case: Y3-DCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 460A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.75kW
Topology: boost chopper
Application: motors
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; NPT
Case: Y3-DCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 460A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.75kW
Topology: boost chopper
Application: motors
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.