на замовлення 31 шт:
термін постачання 553-562 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11238.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIEB101H1200EH IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3, Packaging: Box, Package / Case: E3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: E3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 183 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 630 W, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MIEB101H1200EH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MIEB101H1200EH | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14-Pin Case E-3 Box |
товару немає в наявності |
|
| MIEB101H1200EH | Виробник : IXYS | MIEB101H1200EH IGBT modules |
товару немає в наявності |
||
 |
MIEB101H1200EH | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3 Packaging: Box Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 183 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 630 W Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |