Продукція > IXYS > MIEB101W1200EH
MIEB101W1200EH

MIEB101W1200EH IXYS


MIEB101W1200EH-3312186.pdf Виробник: IXYS
IGBT Modules Six-Pack SPT IGBT
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13943.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MIEB101W1200EH IXYS

Description: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3, Packaging: Box, Package / Case: E3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: E3, Current - Collector (Ic) (Max): 183 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 630 W, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MIEB101W1200EH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MIEB101W1200EH Виробник : Littelfuse mieb101w1200eh.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIEB101W1200EH Виробник : IXYS MIEB101W1200EH IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIEB101W1200EH Виробник : IXYS Description: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
Current - Collector (Ic) (Max): 183 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.