Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MII100-12A3 IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5, Packaging: Bulk, Package / Case: Y4-M5, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Y4-M5, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 135 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 560 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MII100-12A3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MII100-12A3 |
 IGBT MODULE 1200V, 100A, корпус Y4 Силові IGBT-модулі |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
MII100-12A3 | IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5 Packaging: Bulk Package / Case: Y4-M5 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Y4-M5 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 135 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 560 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MII100-12A3 |
|
IGBT MODULE 1200V, 100A, корпус Y4 Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MII100-12A3 |
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 560 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 560 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.