Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA100W1200TEH IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 108A, Case: E3-Pack, Application: motors; photovoltaics, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Power dissipation: 500W, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції MIXA100W1200TEH за ціною від 12538.68 грн до 12538.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MIXA100W1200TEH | IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MIXA100W1200TEH |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3
Description: IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 12538.68 грн |



