MIXA150Q1200VA IXYS
Виробник: IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 695W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 175A
Case: V1-A-Pack
Electrical mounting: FASTON connectors
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Power dissipation: 695W
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA150Q1200VA IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 695W, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: buck chopper, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 175A, Case: V1-A-Pack, Electrical mounting: FASTON connectors, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 450A, Power dissipation: 695W, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA150Q1200VA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MIXA150Q1200VA | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 150A HEX |
товар відсутній |
||
 |
MIXA150Q1200VA | Виробник : IXYS |
IGBT Modules XPT IGBT Module |
товар відсутній |
|
| MIXA150Q1200VA | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 695W Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: buck chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 175A Case: V1-A-Pack Electrical mounting: FASTON connectors Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Power dissipation: 695W Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |