Продукція > IXYS > MIXA225PF1200TSF

MIXA225PF1200TSF IXYS


MIXA225PF1200TSF.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 250A
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MIXA225PF1200TSF IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 250A, Mechanical mounting: screw, Case: SimBus F, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Gate-emitter voltage: ±20V, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 250A, Pulsed collector current: 500A, Power dissipation: 1.1kW, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Application: fans; for pump; for UPS; motors.

Інші пропозиції MIXA225PF1200TSF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MIXA225PF1200TSF MIXA225PF1200TSF IXYS MIXA225PF1200TSF-1549550.pdf IGBT Modules XPT IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA225PF1200TSF IXYS MIXA225PF1200TSF.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 250A
Mechanical mounting: screw
Case: SimBus F
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 250A
Pulsed collector current: 500A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Application: fans; for pump; for UPS; motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA225PF1200TSF MIXA225PF1200TSF-1549550.pdf
MIXA225PF1200TSF
Виробник: IXYS
IGBT Modules XPT IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA225PF1200TSF MIXA225PF1200TSF.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 250A
Mechanical mounting: screw
Case: SimBus F
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 250A
Pulsed collector current: 500A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Application: fans; for pump; for UPS; motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.