на замовлення 6 шт:
термін постачання 1306-1315 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5506.84 грн |
| 12+ | 5157.07 грн |
| 30+ | 4365.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA30WB1200TED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 30A, Application: motors; photovoltaics, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Power dissipation: 150W, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 75A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: E2-Pack, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA30WB1200TED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MIXA30WB1200TED | Виробник : IXYS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 30A Application: motors; photovoltaics Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Power dissipation: 150W Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 75A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MIXA30WB1200TED | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2 |
товар відсутній |
||
| MIXA30WB1200TED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 30A Application: motors; photovoltaics Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Power dissipation: 150W Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 75A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A |
товар відсутній |