Продукція > IXYS > MIXA40W1200TED
MIXA40W1200TED

MIXA40W1200TED IXYS


MIXA40W1200TED-1549430.pdf Виробник: IXYS
IGBT Modules Six-Pack XPT IGBT
на замовлення 6 шт:

термін постачання 539-548 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5835.99 грн
12+5464.51 грн
30+4627.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MIXA40W1200TED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Mechanical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Pulsed collector current: 105A, Power dissipation: 195W, Application: motors; photovoltaics, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Case: E2-Pack, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of semiconductor module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MIXA40W1200TED за ціною від 5496.82 грн до 5496.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MIXA40W1200TED Виробник : IXYS MIXA40W1200TED.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5496.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA40W1200TED Виробник : IXYS MIXA40W1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 105A
Power dissipation: 195W
Application: motors; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Case: E2-Pack
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA40W1200TED Виробник : Littelfuse mixa40w1200ted.pdf SIX-PACK XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA40W1200TED Виробник : IXYS MIXA40W1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 105A
Power dissipation: 195W
Application: motors; photovoltaics
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Case: E2-Pack
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.