Продукція > IXYS > MIXA60W1200TED
MIXA60W1200TED

MIXA60W1200TED IXYS


media-3320323.pdf Виробник: IXYS
IGBT Modules Six-Pack XPT IGBT
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7210.08 грн
12+5570.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MIXA60W1200TED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 60A, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 290W, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Application: motors; photovoltaics, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MIXA60W1200TED

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MIXA60W1200TED Виробник : Littelfuse mixa60w1200ted.pdf Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 85A Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA60W1200TED Виробник : IXYS MIXA60W1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 290W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Application: motors; photovoltaics
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA60W1200TED Виробник : IXYS MIXA60W1200TED.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA60W1200TED Виробник : IXYS MIXA60W1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 290W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Application: motors; photovoltaics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.