Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA61H1200ED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: H-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: E2-Pack, Application: motors; photovoltaics, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Mechanical mounting: screw, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Pulsed collector current: 150A, Collector current: 60A, Power dissipation: 290W.
Інші пропозиції MIXA61H1200ED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MIXA61H1200ED | IXYS |
 Description: IGBT MODULE 1200V 60A |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MIXA61H1200ED |
|
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 60A
Description: IGBT MODULE 1200V 60A
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)