Технічний опис MIXA61H1200ED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: H-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 60A, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 290W, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Application: motors; photovoltaics, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA61H1200ED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT MODULE 1200V 60A |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 60A Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw Power dissipation: 290W Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Application: motors; photovoltaics кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 60A Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw Power dissipation: 290W Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Application: motors; photovoltaics |
товару немає в наявності |