Технічний опис MIXA61H1200ED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W, Application: motors; photovoltaics, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 60A, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 290W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Topology: H-bridge, Case: E2-Pack, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA61H1200ED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT MODULE 1200V 60A |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W Application: motors; photovoltaics Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 290W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Sonic FRD™; XPT™ Topology: H-bridge Case: E2-Pack кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W Application: motors; photovoltaics Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 290W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Sonic FRD™; XPT™ Topology: H-bridge Case: E2-Pack |
товар відсутній |