MIXA80R1200VA IXYS

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 390W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 84A
Case: V1-A-Pack
Electrical mounting: FASTON connectors
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 390W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Application: fans; for pump; motors; photovoltaics
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA80R1200VA IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 390W, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 84A, Case: V1-A-Pack, Electrical mounting: FASTON connectors, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 390W, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 225A, Application: fans; for pump; motors; photovoltaics, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA80R1200VA
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MIXA80R1200VA | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
MIXA80R1200VA | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
MIXA80R1200VA | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 390W Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 84A Case: V1-A-Pack Electrical mounting: FASTON connectors Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw Power dissipation: 390W Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Application: fans; for pump; motors; photovoltaics |
товару немає в наявності |