MIXA80W1200TED IXYS

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 84A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 390W
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Application: motors; photovoltaics
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA80W1200TED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 84A, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 390W, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 225A, Application: motors; photovoltaics, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA80W1200TED
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MIXA80W1200TED | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
MIXA80W1200TED | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
MIXA80W1200TED | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 84A Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw Power dissipation: 390W Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Application: motors; photovoltaics |
товару немає в наявності |