Продукція > IXYS > MIXA80WB1200TEH
MIXA80WB1200TEH

MIXA80WB1200TEH IXYS


MIXA80WB1200TEH-1549444.pdf Виробник: IXYS
IGBT Modules Six Pack SPT IGBT
на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MIXA80WB1200TEH IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A, Application: motors; photovoltaics, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Power dissipation: 390W, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 225A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: E3-Pack, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 84A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MIXA80WB1200TEH за ціною від 7708.59 грн до 7708.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MIXA80WB1200TEH Виробник : IXYS MIXA80WB1200TEH.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 77A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 390 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7708.59 грн
MIXA80WB1200TEH Виробник : IXYS MIXA80WB1200TEH.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A
Application: motors; photovoltaics
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 390W
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 225A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MIXA80WB1200TEH Виробник : IXYS MIXA80WB1200TEH.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A
Application: motors; photovoltaics
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 390W
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 225A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 84A
товар відсутній